説明
炭化ケイ素エピタキシャルsemicera の VEECO 装置用ウェーハ ディスクは、高度なエピタキシャル プロセス向けに精密設計されており、両方の分野で高品質の結果を保証します。SiエピタキシーそしてSiCエピタキシーアプリケーション。これらのウェーハ ディスクは VEECO 装置用に特別に設計されており、さまざまな半導体製造プロセスのパフォーマンスと効率を向上させます。 Semicera の専門知識により、重要な用途において優れた耐久性と精度が保証されます。
これらのエピタキシャル ウェーハ ディスクは、以下の用途に最適です。MOCVDサセプタシステム、などの重要なコンポーネントに堅牢なサポートを提供します。PSSエッチングキャリア, ICPエッチングキャリア、 そしてRTPキャリア。さらに、次の機能との互換性も強化されています。LEDエピタキシャルサセプタ、バレルサセプター、および単結晶シリコンプロセスにより、生産ラインが最高水準の効率と精度を維持できるようになります。
最先端の技術向けに設計されたこれらのウェハディスクは、太陽電池部品の生産に大きく貢献し、SiC エピタキシー上の GaN などの複雑なプロセスを容易にします。パンケーキ サセプタ構成やその他の要求の厳しい用途に使用される場合でも、セミセラの炭化ケイ素エピタキシャル ウェーハ ディスクは、高度な半導体製造の信頼できる基盤を提供し、最適なパフォーマンスと長期耐久性を保証します。
主な特長
CVD-SICコーティングの主な仕様:
SiC-CVD | ||
密度 | (g/cc) | 3.21 |
曲げ強度 | (MPa) | 470 |
熱膨張 | (10-6/K) | 4 |
熱伝導率 | (W/mK) | 300 |
梱包と発送
供給能力:
10000 個/月/個
梱包と配送:
パッキング:標準および強力なパッキング
ポリ袋 + ボックス + カートン + パレット
ポート:
寧波/深セン/上海
リードタイム:
数量(個) | 1-1000 | >1000 |
EST(東部基準時。時間(日) | 30 | 交渉中 |