炭化ケイ素 (SiC) 単結晶材料は、広いバンドギャップ幅 (~Si の 3 倍)、高い熱伝導率 (~Si 3.3 倍または GaAs の 10 倍)、高い電子飽和移動速度 (~Si 2.5 倍)、高い電気絶縁破壊を備えています。磁場（約Si 10倍またはGaAs 5倍）およびその他の優れた特性。
SiC デバイスは、高温、高圧、高周波、高出力電子デバイスおよび航空宇宙、軍事、原子力エネルギーなどの極限環境用途の分野においてかけがえのない利点を有しており、実際には従来の半導体材料デバイスの欠点を補っています。パワー半導体の主流となりつつあります。
4H-SiC炭化ケイ素基板仕様
| アイテム目 | 仕様パラメータ | |
| ポリタイプ | 4H-SiC | 6H-SiC |
| 直径 | 2インチ | 3インチ | 4インチ | 6インチ | 2インチ | 3インチ | 4インチ | 6インチ |
| 厚さ | 330μm～350μm | 330μm～350μm |
| 導電率 | N-タイプ/半絶縁 | N-タイプ/半絶縁 |
| ドーパント | N2（窒素）V（バナジウム） | N2 (窒素) V (バナジウム) |
| 向き | 軸上 <0001> | 軸上 <0001> |
| 抵抗率 | 0.015～0.03Ω・cm | 0.02～0.1Ω・cm |
| マイクロパイプ密度(MPD) | ≦10/cm2 ～ ≦1/cm2 | ≦10/cm2 ～ ≦1/cm2 |
| TTV | 15μm以下 | 15μm以下 |
| ボウ/ワープ | ≤25μm | ≤25μm |
| 表面 | DSP/SSP | DSP/SSP |
| 学年 | 生産/研究グレード | 生産/研究グレード |
| 結晶の積層シーケンス | ABCB | ABCABC |
| 格子パラメータ | a=3.076A、c=10.053A | a=3.073A、c=15.117A |
| 例/eV(バンドギャップ) | 3.27eV | 3.02eV |
| ε(誘電率) | 9.6 | 9.66 |
| 屈折率 | n0 =2.719 ne =2.777 | n0 =2.707、ne =2.755 |
6H-SiC炭化ケイ素基板仕様
| アイテム目 | 仕様パラメータ |
| ポリタイプ | 6H-SiC |
| 直径 | 4インチ | 6インチ |
| 厚さ | 350μm～450μm |
| 導電率 | N-タイプ/半絶縁 |
| ドーパント | N2(窒素) |
| 向き | <0001> オフ 4°±0.5° |
| 抵抗率 | 0.02～0.1Ω・cm |
| マイクロパイプ密度(MPD) | ≤ 10/cm2 |
| TTV | 15μm以下 |
| ボウ/ワープ | ≤25μm |
| 表面 | Si 面: CMP、エピ対応 |
| 学年 | 研究グレード |
