炭化ケイ素 (SiC) 単結晶材料は、広いバンドギャップ幅 (~Si の 3 倍)、高い熱伝導率 (~Si の 3.3 倍または GaAs の 10 倍)、高い電子飽和移動速度 (~Si 2.5 倍)、高い電気絶縁破壊を備えています。磁場（約Si 10倍またはGaAs 5倍）およびその他の優れた特性。
SiC デバイスは、高温、高圧、高周波、高出力電子デバイスや、航空宇宙、軍事、原子力などの極限環境用途の分野において、かけがえのない利点を持ち、実際には従来の半導体材料デバイスの欠点を補っています。パワー半導体の主流になりつつあります。
4H-SiC炭化珪素基板仕様
| アイテム目 | 仕様パラメータ | |
| ポリタイプ | 4H-SiC | 6H-SiC |
| 直径 | 2インチ |3インチ |4インチ |6インチ | 2インチ |3インチ |4インチ |6インチ |
| 厚さ | 330μm～350μm | 330μm～350μm |
| 導電率 | N-タイプ/半絶縁 | N-タイプ/半絶縁 |
| ドーパント | N2（窒素）V（バナジウム） | N2 (窒素) V (バナジウム) |
| オリエンテーション | 軸上 <0001> | 軸上 <0001> |
| 抵抗率 | 0.015～0.03Ω・cm | 0.02～0.1Ω・cm |
| マイクロパイプ密度(MPD) | ≦10/cm2 ～ ≦1/cm2 | ≦10/cm2 ～ ≦1/cm2 |
| TTV | 15μm以下 | 15μm以下 |
| ボウ/ワープ | ≤25μm | ≤25μm |
| 表面 | DSP/SSP | DSP/SSP |
| 学年 | 生産/研究グレード | 生産/研究グレード |
| 結晶の積層シーケンス | ABCB | ABCABC |
| 格子パラメータ | a=3.076A、c=10.053A | a=3.073A、c=15.117A |
| 例/eV(バンドギャップ) | 3.27eV | 3.02eV |
| ε(誘電率) | 9.6 | 9.66 |
| 屈折率 | n0 =2.719 ne =2.777 | n0 =2.707、ne =2.755 |
6H-SiC炭化ケイ素基板仕様
| アイテム目 | 仕様パラメータ |
| ポリタイプ | 6H-SiC |
| 直径 | 4インチ |6インチ |
| 厚さ | 350μm～450μm |
| 導電率 | N-タイプ/半絶縁 |
| ドーパント | N2(窒素) |
| オリエンテーション | <0001> オフ 4°±0.5° |
| 抵抗率 | 0.02～0.1Ω・cm |
| マイクロパイプ密度(MPD) | ≤ 10/cm2 |
| TTV | 15μm以下 |
| ボウ/ワープ | ≤25μm |
| 表面 | Si 面: CMP、エピ対応 |
| 学年 | 研究グレード |
